2026-06-18 Statistical distributions Statistical reproducibility Correlating measurements Quantifying statistical metrics Individual components Grown semiconductor nanomaterials Sselective area growth Quantifying statistical metrics Quantum nanoelectronics Sag Statistical distributions Crystal growth Lithographically controlled Results confirm Sag nanomaterials Results confirm Surface impurity scattering Statistical reproducibility Structural parameters Transmission electron microscopy Cryogenic electrical properties Fixed structural properties Scale classical Supplementary Information: Statistical Reproducibility of Selective Area Grown InAs Nanowire Devices Información suplementaria: Reproducibilidad estadística de área selectiva creció en los dispositivos Nanowire (Traducción automática) http://hdl.handle.net/10261/384536 info:eu-repo/semantics/dataset New approaches such as selective area growth (SAG), where crystal growth is lithographically controlled, allow the integration of bottom-up grown semiconductor nanomaterials in large-scale classical and quantum nanoelectronics. This calls for assessment and optimization of the reproducibility between individual components. We quantify the structural and electronic statistical reproducibility within large arrays of nominally identical selective area growth InAs nanowires. The distribution of structural parameters is acquired through comprehensive atomic force microscopy studies and transmission electron microscopy. These are compared to the statistical distributions of the cryogenic electrical properties of 256 individual SAG nanowire field effect transistors addressed using cryogenic multiplexer circuits. Correlating measurements between successive thermal cycles allows distinguishing between the contributions of surface impurity scattering and fixed structural properties to device reproducibility. The results confirm the potential of SAG nanomaterials, and the methodologies for quantifying statistical metrics are essential for further optimization of reproducibility. Nuevos enfoques como el crecimiento selectivo del área (SAG), donde el crecimiento del cristal es controlado litográficamente, permiten la integración de nanomateriales semiconductores crecidos en gran escala en nanoelectrónica clásica y cuántica. Esto requiere evaluación y optimización de la reproducibilidad entre componentes individuales. cuantificamos la reproducibilidad estructural y electrónica estadística dentro de grandes gamas de crecimiento nominalmente idéntico del área selectiva EnAs nanowires. La distribución de los parámetros estructurales se adquiere mediante estudios de microscopía de fuerza atómica integral y microscopía electrónica de transmisión. Estos son comparados con las distribuciones estadísticas de las propiedades eléctricas criogénicas de 256 transistores de efecto de campo de nanoaros SAG individuales tratados con circuitos de multiplexor criogénicos. Las mediciones correlativas entre ciclos térmicos sucesivos permiten distinguir entre las contribuciones de dispersión de impureza superficial y propiedades estructurales fijas a la reproducibilidad de dispositivos. Los resultados confirman el potencial de los nanomateriales SAG, y las metodologías para cuantificar las métricas estadísticas son esenciales para una mayor optimización de la reproducibilidad. (Traducción automática) 2024-05-01 conforme-DCAT-AP-ES Agencia Estatal Consejo Superior de Investigaciones Científicas EA0041268 2026-06-22T18:58:59.301591+02:00 2026-06-22T11:20:06.291227+02:00 2026-06-18 2844 README.txt 2026-06-18 2024-05-01 Digital.CSIC Agencia Estatal Consejo Superior de Investigaciones Científicas 2026-06-18 19141190 nl4c01038_si_001.pdf 2026-06-18 DIGITAL.CSIC ICU = CIN2 oai:digital.csic.es:10261/384536 OAI-PMH OAI application/pdf 2026-06-18