Nuevos enfoques como el crecimiento selectivo del área (SAG), donde el crecimiento del cristal es controlado litográficamente, permiten la integración de nanomateriales semiconductores crecidos en gran escala en nanoelectrónica clásica y cuántica. Esto requiere evaluación y optimización de la reproducibilidad entre componentes individuales. cuantificamos la reproducibilidad estructural y electrónica estadística dentro de grandes gamas de crecimiento nominalmente idéntico del área selectiva EnAs nanowires. La distribución de los parámetros estructurales se adquiere mediante estudios de microscopía de fuerza atómica integral y microscopía electrónica de transmisión. Estos son comparados con las distribuciones estadísticas de las propiedades eléctricas criogénicas de 256 transistores de efecto de campo de nanoaros SAG individuales tratados con circuitos de multiplexor criogénicos. Las mediciones correlativas entre ciclos térmicos sucesivos permiten distinguir entre las contribuciones de dispersión de impureza superficial y propiedades estructurales fijas a la reproducibilidad de dispositivos. Los resultados confirman el potencial de los nanomateriales SAG, y las metodologías para cuantificar las métricas estadísticas son esenciales para una mayor optimización de la reproducibilidad. (Traducción automática)
